Wi2Wi差分晶振,FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,低功耗6G蓝牙晶振
频率:200.000MHz
尺寸:7.0x5.0mm
Wi2Wi差分晶振,FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,低功耗6G蓝牙晶振,美国进口晶振,Wi2wi威尔威晶振,FC7系列编码为:FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,频率为:200.000MHz,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm,LVPECL输出差分晶振,石英晶体振荡器,六脚贴片晶振,有源晶振。Wi2Wi的FC7系列提供了精确的定时在一个密封的包,并可在标准和自定义频率和配置。能够轻易识别网络信号以及精确的处理双极信号。FC7系列石英晶振具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能,低损耗,低电平等特点。广泛应用于通讯设备、机顶盒、光端机、安防设备、路由器/交换机、仪器仪表、SATA,SAS,光纤通信,10G以太网及各种频率控制设备上。
Wi2Wi差分晶振,FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,低功耗6G蓝牙晶振 参数表
Wi2Wi差分晶振,FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,低功耗6G蓝牙晶振 尺寸图
Parameter
Supply Voltage (±10%)
Units
3.3
2.5
V
Frequency Range
Low (LVCMOS/LVDS/LVPECL)
10
MHz
High (LVCMOS)
200
MHz
High (LVDS/LVPECL)
1500
MHz
Frequency Stability
All Causes (Maximum ) *1
Per Option
ppm
Temperature Range
Operating
Per Option
°C
Storage
-55 to +125
°C
Supply Current (Maximum, no Load)
10.000 to 200 .000MHz (LVCMOS)
25
mA
10.000 to 1500 .000MHz (LVDS/LVPECL)
65
Load
See Load/Test Circuits (Page 2)
Duty Cycle (at 50% Vcc)
45 to 55
%
Rise/Fall Times (Maximum under Load)
10.000 to 200 .000MHz (LVCMOS)
3
nS
10.000 to 1500 .000MHz (LVDS/LVPECL)
0.6
Start up Time (Maximum)
15
mS
Output Voltage Levels (LVCMOS)
High (Minimum)
90
% Vcc
Low (Maximum)
10
Output Voltage Levels (LVDS)
High
1.43 Typ , 1.60 Max
V
Low
0.90 Min , 1.10 Typ
Differential Voltage
250 Min , 350 Typ , 450 Max
mV
Output Voltage Levels (LVPECL)
High
Vcc- 1 .025 Min , Vcc-0 .95 Typ , Vcc-0 .88 Max
V
Low
Vcc- 1 .810 Min , Vcc- 1 .70 Typ , Vcc- 1 .62 Max
Differential Voltage
595 Min , 750 Typ , 930 Max
mV
Pin 1 (Tri-State Option Only)
Enable
80
% Vcc
Tri-State (Disable)
10
% Vcc
Phase Jitter Maximum (rms)
Fractional Divider (12KHz to 20MHz)
1
pS
Integer Divider (12KHz to 20MHz)
0.6
Period Jitter Maximum (rms)
2.5
pS
Wi2Wi差分晶振,FC7-T-200.00M-P-C-D-3-R-X,低功耗6G蓝牙晶振
晶振,作为电子产品的心脏部分,为电路提供稳定,持续的时钟信号,我们可能并不陌生,但具体细分到普通晶振(单端),差分晶振可能大家就有些分不清楚了,尤其是差分晶振。
我们所谓的单端或差分,主要是指输出模式,单端一般是CMOS,TTL电平信号,只需要一根线输出就好了,优点是走线方便,但缺点也很明显,就是抗干扰能力差,不适合高速信号(100MHz以上)。
差分晶振一般是LVDS,LVPECL等信号,需要两根线输出。优点是抗干扰能力强,缺点是布线需要注意。
单端模式是不支持高速应用的,如:125MHz,200MHz及以上,主要原因以下三点:
(1),电平幅度大,信号高低电平之间的转换时间长,不适用于传输频率达到100MHz以上的信号
(2),输出信号为单端信号(一条线),传输路径易受到干扰,不利于长线传输
(3),功耗大,大家都知道TTL器件的静态功耗较大,即使静态功耗小的CMOS器件,由于电平摆幅宽,其动态功耗也偏大。
差分信号则是两条线传输,会输出一组振幅相同,相位相反的信号。而接收端则会根据两个信号的电压差值来判断逻辑状态,所以在高速通信中,差分信号的抗干扰特性是明显优于单端信号的。
差分晶振与普通晶振的区别:
1,首先是管脚封装不同,普通晶振是4脚,差分晶振是6脚贴片晶振
2,其次是输出信号不同,普通晶振是单端输出,差分晶振则是差分输出
3,应用场合不同,普通晶振用于低速(100MHz以下),差分晶振用于高速(100MHz以上)
4,抗干扰能力也不同,差分晶振的信号抗干扰能力明显要优于普通晶振
5,价格不同,差分晶振的价格要远高于普通晶振。
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