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Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz

频率:125MHZ

尺寸:5.0x3.2mm

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Q-Tech低调的极高震动混合动力SPXO振荡器由一个在不同电源下工作的集成电路组成电压范围为1.8V、2.5V、3.3V和5.0Vdc,以及小型条形石英晶体。该系列提供于表面贴装SMT陶瓷封装。这是一个小封装封装提供50kRad(Si)TID具有高冲击和高可靠性的地球轨道空间应用。Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz.


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Q-Tech低调的极高震动混合动力SPXO振荡器由一个在不同电源下工作的集成电路组成电压范围为1.8V、2.5V、3.3V和5.0Vdc,以及小型条形石英晶体。该系列提供于表面贴装SMT陶瓷封装。这是一个小封装封装提供50kRad(Si)TID具有高冲击和高可靠性的地球轨道空间应用。Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz.

Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz        参数表

Parameters QT735LP QT735NP QT735LW QT735NW
Output frequency range (Fo) 125.000MHz 80.000MHz — 250.000MHz
Supply voltage (Vdd) 3.3Vdc ± 5% 2.5Vdc ± 5% 3.3Vdc ± 5% 2.5Vdc ± 5%
Maximum Applied Voltage
(Vdd max.)
-0.5 to +5.0Vdc -0.5 to +5.0Vdc
Logic LVPECL LVDS
Frequency stability (?F/?T) See Part Number on Page 1
Operating temperature (Topr) See Part Number on Page 1
Storage temperature (Tsto) -62ºC to + 125ºC
Output Logic Levels
   Output Logic High (Voh)
   Output Logic Low (Vol)
Vdd-1.025 < Voh < Vdd-0.880
Vdd-1.810 < Voh < Vdd-1.620
Voh < 1.6 V
Vol > 0.9 V
Duty Cycle 45/55%
Rise and Fall times 600pstyp. | 1000ps max.
Load 50Ω into Vdd-2V 100Ω Differential
Start-up time (Tstup) 10ms max.
Current (No Load) 50mAtyp. | 75mA max. 60mAmax.
Enable/Disable function
(Pin 1 or Pin 2)
VIH ≥ 0.7*Vdd Active
VIL ≤ 0.3*Vdd High Z
Phase Jitter
(12kHz - 20MHz BW)
(Note 1)
0.3ps nom. | 0.7ps max. 0.35ps nom. | 0.8ps max.
Aging ±15ppm max over 10 years

Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz    尺寸图

QT735 6P Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz

高质量晶振产品特性:

ECCN:EAR99

50kRad(Si)总剂量电离

宽频率范围,1.000MHz至250MHz

占地面积小,3.2 x 5mm表面安装封装

CMOS、LVDS、LVPECL

各种电源电压,1.8Vdc至5.0Vdc

工作温度范围广,-55°C至125°C

三态输出

密封包装

基础和第三序曲设计

根据MIL-PRF-55310,B级,带PIND的筛选

高抗震性,测试重量高达20000g机械

冲击,半正弦,0.3ms,所有轴

磁带和卷轴包装可用于额外费用

可选热浸焊,Sn60Pb40

符合RoHS

注意:筛选和测试数据未序列化

QT735 1

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