泰艺晶振,插件晶振,TF晶振,TFETBCJANF-10.000000晶振
频率:1.25-40MHZ
尺寸:20.4*12.8mm
泰艺晶振,VCTCXO晶振,TF晶振,TFETBCJANF-10.000000晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
	 
 
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 1.25-40MHZ | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 2.5-5.0V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -55℃ to +125℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -40℃ to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.tydz99.com | 
| H: -40℃ to +105℃ | |||
| J: -40℃ to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±0.5 × 10-6 | 
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| L: ±1 × 10-6 | |||
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| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
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| VOL | 0.4 V Max. | 
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| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
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| 输入电压 | VIH | 80% VCC Max. | ST 终端 | 
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25 ℃, 初年度,第一年 | 
| Manufacturer Part Number原厂代码 | Manufacturer品牌 | Series型号 | Type 类型 | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Size / Dimension 尺寸 | Height - Seated (Max)高度 | 
| TFETBCJANF-10.000000 | Taitien | TF | TCXO | 10MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFETBCJANF-25.000000 | Taitien | TF | TCXO | 25MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFCCBIKANF-10.000000 | Taitien | TF | TCXO | 10MHz | 5V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFETBEJANF-16.384000 | Taitien | TF | TCXO | 16.384MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFETBEJANF-20.000000 | Taitien | TF | TCXO | 20MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFETBEJANF-25.000000 | Taitien | TF | TCXO | 25MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
| TFETBLJANF-19.440000 | Taitien | TF | TCXO | 19.44MHz | 2.8 V ~ 3.3 V | 0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm) | 0.307" (7.80mm) | 
 
 
	 
 
泰艺有源晶振产品列表:
		 
 
	
	 
 
插件型晶振安装注意事项:
安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2)。
修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时,以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚,如果强制地拔出导脚,会引起玻璃的破裂,而导致壳内真空浓度的下降,有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3)。(2) 要修改弯曲的导脚时,要压住外壳基侧的导脚,且从上下方压住弯曲的部位,再进行修改(参阅图 4)
弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时,导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位。如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲,有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6)。(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时,务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7)。
如果直接在外壳部位焊接,会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损。应注意将晶振平放时,不要使之与导脚相碰撞,请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ,并使之大于外壳的直径长度(D)。
焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位,并且请不要对外壳进行焊接。另外,如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热,会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损。因此,请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下,且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下)。
泰艺晶振,VCTCXO晶振,TF晶振,TFETBCJANF-10.000000晶振
	 
 
泰艺晶振通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱。
泰艺晶振科技股份有限公司,插件型TCXO晶振依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,长方形插件有源晶振包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
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