各种晶振晶体技术的抖动比较
抖动受振荡器内部的许多变量的影响.这些变量中的大部分与我们看到的相同的来源导致频率的长期变化,例如电容随温度变化,传播延迟随温度和电压变化,频率变化晶振晶体随温度变化等变化.石英晶振频率变化量为取决于该单元所经受的条件.比较晶振晶体的灵敏度这些变量的技术可以通过比较晶体移动的量来实现给定电路负载电容的变化(定义为可牵引性).
有三项技术选择用于此比较：1.传统的散装石英晶体在5号泛音上运行响应2.表面声波(SAW)晶体,和3.倒置台面晶体操作关于基本响应(倒置台面有点描述蚀刻过程远离大块晶振晶体的中心,以获得非常高频率的基频失去低频大块晶体的强度).由于每个人的特点技术随频率变化,选择固定的310MHz用于比较目的.
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All at 310MHz |
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Technology |
Shunt Cap(pf) |
Motional Cap.(ff) |
Pullability(140pf to 160pf) |
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5th overtone Bulk Crystal |
2.19 |
0.0876 |
0.04ppm |
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SAW |
4.3 |
2.38 |
1.01ppm |
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Inverted Mesa Bulk Crystal |
6.081 |
28.683 |
11.82ppm |
从这个比较中,5号泛音散装晶体将是最坚硬或最不可能移动的随着电路的变化,SAW滤波器进入第二,倒置的台面晶体最差.因此,假设所有三种晶体类型的电路都相同,那么抖动就会降低与SAW和倒置台面类型相比,第五泛音晶体.
其他因素也可能导致给定设计的抖动问题.电路复杂性和特定的石英晶体振荡器设计配置(选择的实际电路和负载电容操作在)可能导致抖动变化.电源内部去耦振荡器封装将有助于减少电源噪声引起的抖动.EMI屏蔽通过金属封装或金属盖(创建法拉第屏蔽)将减少EMI的影响周边地区.
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