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EPSON编码X1G005591021400是一款超小型的1.62-1.63V石英晶体振荡器

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EPSON编码X1G005591021400是一款超小型的1.62-1.63V石英晶体振荡器

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浏览：- 发布日期：2022-09-06 17:21:41【大中小】

EPSON编码X1G005591021400是一款超小型的1.62-1.63V石英晶体振荡器，电子产品对于我们来说已是必不可缺的生活用品，如手机蓝牙耳机，智能家居等产品，这些产品的背后都离不开这个主要的元器件，那就是晶振。晶振又可分为无源晶振和有源晶振。晶振在这些元器件中扮演什么角色呢，在各种产品的搭配中，很多元器件与产品之间，有着密不可分的联系，晶振作为一个大的载体，使用范围异常广泛。

在日常生活中，晶振也是常见的元器件之一，而有源晶振则是较少了，那么有源晶振是什么呢。

爱普生推出了SG-8018CE晶振，编码X1G005591021400，1.62-3.63V石英晶体振荡器，频率24.000000兆赫，输出WaveCMOS，供电电压1.62至3.63 V，尺寸(长×宽×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作温度-40到+105°C，频率公差±50ppm，额外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock时钟OSC，常常用于无线通信,小型电子产品。EPSON编码X1G005591021400是一款超小型的1.62-1.63V石英晶体振荡器

爱普生晶振原厂编码	Model	Frequency	爱普生晶振尺寸	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591020400	SG-8018CE	16.666667 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591020500	SG-8018CE	33.330000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591020600	SG-8018CE	12.800000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591020700	SG-8018CE	26.600000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591020800	SG-8018CE	110.592000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G005591020900	SG-8018CE	36.864000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591021000	SG-8018CE	15.728640 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021100	SG-8018CE	12.096000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021200	SG-8018CE	14.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021300	SG-8018CE	12.800000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021400	SG-8018CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591021500	SG-8018CE	4.915200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021600	SG-8018CE	20.833000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591021700	SG-8018CE	96.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591021800	SG-8018CE	1.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591021900	SG-8018CE	1.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591022000	SG-8018CE	12.902400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591022100	SG-8018CE	24.545400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591022200	SG-8018CE	15.360000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591022300	SG-8018CE	1.843200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591022400	SG-8018CE	25.175000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591022500	SG-8018CE	12.352000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591022600	SG-8018CE	20.480000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591022700	SG-8018CE	21.333000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA