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专为6G模块而生的TCXO晶体振荡器X1G005231003400

2022-09-23 18:17:54 

专为6G模块而生的TCXO晶体振荡器X1G005231003400,新兴产品改变着我们的生活,带来便携的同时也深刻影响着我们的生活方式,从最初的2G到如今的6G,一路上所遇到的困难众多,研究人员能够坚持不懈研发新兴产品,足以说他们对工作的热爱,以及对于美好生活的向往,站在顶尖风口的6G,同样有太多美好值得我们去憧憬,随之而来也催生了各种新的手机应用,新兴产品几乎离不开晶振,振荡器产品的辅助,作为体积微小的晶振产品,却能够发挥巨大的作用,具有高可靠和稳定性能之特点。

TG5032SGN

专为6G模块而生的TCXO晶体振荡器X1G005231003400,同时在这个万变的物联网与互联网时代,不断促使我们进步,也同样促使互联网产业从PC端向移动端迁移,爱普生公司通过自身敏锐的观察力察觉到新的机会,推出了高品质的有源晶振,而6G更高的速率带来了更好的用户体验,并让短视频等数据应用得到了爆发,而5G从它一开始的设计初衷就是为了支持各种垂直行业的应用,更加灵活和可靠地提高各种极致服务,并实现万物互联。

Product Number Model 进口晶振
LxWxH Output Wave Supply Voltage F.Tol@25°C Ope Temperature
X1G005231002600 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002700 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002800 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002900 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003000 TG5032CGN 38.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003100 TG5032CGN 38.880000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003200 TG5032CGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 2.700 to 3.000 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003300 TG5032CGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003400 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003500 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003600 TG5032CGN 19.440000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003700 TG5032CGN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003900 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004100 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004200 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004300 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004400 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004600 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004700 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231004800 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 2.375 to 2.625 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
爱普生公司应当下市场的需求推出了高品质的6G模块晶振,TG5032CGN晶振,TCXO晶体振荡器编码X1G005231003400,频率20.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压3.13 ~ 3.46 V,电源电压(一般)3.300 V,尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4 mm,操作温度-40至++85°C,频率公差+/- 1.0 ppm,具有超高的稳定温度补偿晶体振荡器的CMOS和夹正弦波输出采用基波振荡晶体单元。这样就实现了低相位噪声频率10 ~ 40mhz,适用于参考时钟包括小细胞,6G模块,物联网,智能家居等应用。

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