• Diodes的KX2513G0032.768000为小封装的绿色环保实时时钟振荡器,实现卓越的稳定性,ECERA品牌，Diodes Incorporated 也通过了 C-TPAT 认证。
• 这些质量奖反映了 Diodes Incorporated 建立的卓越质量控制技术，并进一步提高了我们作为越来越关注质量和一致性的OEM首选供应商的信誉。

电路的总负载电容 (CL) 必须满足晶振的规定 CL。这包括陶瓷电容器以及源自晶体封装、有源振荡器输入引脚和电路板走线的任何杂散电容。

由于准确计算电路内的杂散和寄生电容组合非常棘手，因此请尝试从估计值（通常约为 4 到 6pF）开始，然后测量输出频率以确定电容器的值是否需要调整。

NX72F6208Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX72F6208Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX72F6208Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
HX51706001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	70.656MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX51706001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	70.656MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX51706001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	70.656MHz	±50ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	20MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	20MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ HX	20MHz	±25ppm	-40°C ~ 105°C
PBF620074Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PB	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
PBF620074Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PB	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
PBF620074Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PB	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX3241E0100.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX3241E0100.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	100MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
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PXC500007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
PXC500007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
PXC500007	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PX	125MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX73K0004Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX73K0004Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX73K0004Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX7021E0150.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C

但是，如果总CL大于指定的 CL，则振荡频率会降低。同样，CL 太低的地方，频率会更高；如果 CL 在任一方向上太远，则振荡器可能根本不会启动。

使用晶体管或反相逻辑门作为反馈放大器构建的外部振荡器电路。由于设计高质量的振荡器是一项艰巨的挑战，即使大多数晶体零售商都提供设计指南，购买现成的振荡器模块可能更容易。此类振荡器模块包含晶体和所需的所有组件，包括负载电容器，可确保您获得具有成本效益的高性能振荡器。所有这一切都取决于您提供适当的电源。Diodes的KX2513G0032.768000为小封装的绿色环保实时时钟振荡器,实现卓越的稳定性,ECERA品牌

对于需要精确和可靠频率的应用，如无线通信系统或以太网接口，晶体振荡器模块是一个不错的选择。Diodes Inc. 生产各种尺寸和 ppm 精度的晶体振荡器产品，以适应不同的应用。

外部 CL 频率波动的事实开启了构建晶体振荡器的可能性，该晶体振荡器的输出可以在小范围内进行调整。这在 RF 应用中证明是很方便的，在这些应用中，接收器必须微调自己的频率以对应接收到的信号。

压控振荡器 (VCXO) 采用称为变容二极管（或变容二极管）的器件作为负载电容器。变容二极管的电容随着施加的控制电压而改变，这随后改变了振荡频率。

NX5041D0100.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	100MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	148.5MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	148.5MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	148.5MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
NX3221E0150.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX3221E0150.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX3221E0150.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	150MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
SNSAS2150	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	150MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
SNSAS2150	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	150MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
SNSAS2150	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	150MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
PD10GE156	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
PD10GE156	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
PD10GE156	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP XO™	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
PDF620008Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PD	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
PDF620008Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PD	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
PDF620008Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ PD	156.25MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
NX72G1102Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	161.132812MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX72G1102Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	161.132812MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX72G1102Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	161.132812MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX7032C0200.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX7032C0200.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
NX7032C0200.000000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	200MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C
UX52F62008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ UX	156.25MHz	±50ppm	-20°C ~ 70°C

VCXO 的主要限制是“可拉性”、时钟抖动和控制电压范围：

• “牵引性”概述了控制电压的任何给定变化的频率变化；较大的值表明振荡器可以在较大的范围内工作，但较小的值会导致更好的稳定性并降低相位噪声。最大调谐范围通常在 +/-200ppm 左右。
• 时钟抖动发生在高于固定频率振荡器的情况下，尤其是在其工作在其极限的调谐范围的外部极端。
• 控制电压通常为 0V 至 2 或 3V。

  NX7021D0644.531250	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	644.53125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  NX7021D0644.531250	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	644.53125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  NX7021D0644.531250	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ NX	644.53125MHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  KD3270037	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KD	32.768kHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  KD3270037	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KD	32.768kHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  KD3270037	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KD	32.768kHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  KX2513G0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±25ppm	0°C ~ 70°C
  KX3211A0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
  KX3211A0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
  KX3211A0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
  YNETHE125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP VCXO	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  YNETHE125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP VCXO	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  YNETHE125	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ ASSP VCXO	125MHz	±50ppm	-40°C ~ 85°C
  KX3211D0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  FRSTB1027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FR	27MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
  FRTELE016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FR	16.384MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
  FRETHE025	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FR	25MHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
  KX2013B0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±25ppm	-20°C ~ 70°C
  KX2013D0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  KX2511A0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±20ppm	-20°C ~ 70°C
  KX2513D0032.768000	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KX	32.768kHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C
  KJ3270008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ KJ	32.768kHz	±25ppm	-40°C ~ 85°C

当您需要比普通晶体振荡器在工作温度范围内更高的稳定性（例如小于 10ppm）时，您需要选择温度补偿振荡器 (TCXO)。与前面提到的标准振荡器模块一样，这些模块也可作为现成的模块提供，并带有广泛的参数。

TCXO 包含一个电路，该电路能够测量环境温度，然后生成控制电压来修改 VCXO 的频率，以抵消温度变化的影响。TCXO 根据晶体的温度-频率响应曲线计算所需的控制电压。